Перевод: с русского на английский

с английского на русский

разработка биполярных ИС

  • 1 разработка биполярных ИС

    Electronics: bipolar design

    Универсальный русско-английский словарь > разработка биполярных ИС

  • 2 разработка биполярных ИС

    Русско-английский словарь по микроэлектронике > разработка биполярных ИС

  • 3 разработка биполярных транзисторов

    Electronics: bipolar design

    Универсальный русско-английский словарь > разработка биполярных транзисторов

  • 4 память на биполярных ИС

    Русско-английский большой базовый словарь > память на биполярных ИС

  • 5 полевой транзистор

      FET
     (Field Effect Transistor)
     Полевой транзистор (ПТ)
      Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
     
     Устройство полевого транзистора

    Russian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор

  • 6 FET

      FET
     (Field Effect Transistor)
     Полевой транзистор (ПТ)
      Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
     
     Устройство полевого транзистора

    Russian-English dictionary of Nanotechnology > FET

См. также в других словарях:

  • разработка биполярных интегральных схем — dvipolių integrinių grandynų sukūrimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Bipolar-Design — dvipolių integrinių grandynų sukūrimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Entwurf von bipolaren Schaltungen — dvipolių integrinių grandynų sukūrimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • bipolar integrated circuit design — dvipolių integrinių grandynų sukūrimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • conception des circuits intégrés bipolaires — dvipolių integrinių grandynų sukūrimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • dvipolių integrinių grandynų sukūrimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar integrated circuit design vok. Bipolar Design, n; Entwurf von bipolaren Schaltungen, m rus. разработка биполярных интегральных схем, f pranc. conception des circuits intégrés… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Семантический дифференциал — (англ. semantic differential)  метод построения индивидуальных или групповых семантических пространств (англ. semantic space). Координатами объекта в семантическом пространстве служат его оценки по ряду биполярных градуированных… …   Википедия

  • Интегральная схема — Запрос «БИС» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа Интегральная (микро)схема ( …   Википедия

  • Микросхема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) …   Википедия

  • Большая интегральная схема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) …   Википедия

  • Видеочип — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) …   Википедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»